나비타스세미컨덕터(NVTS, Navitas Semiconductor Corp )는 2025년 1분기 재무 결과를 발표했다.

5일 미국 증권거래위원회에 따르면 2025년 5월 5일, 나비타스세미컨덕터는 2025년 3월 31일로 종료된 분기의 감사되지 않은 통합 재무 결과를 발표했다.이 보도자료는 본 보고서의 부록 99.1로 제공되며, 여기서 참조된다.

나비타스세미컨덕터는 차세대 전력 반도체 회사로, 갈륨 나이트라이드(GaN) 전력 집적회로(IC) 및 실리콘 카바이드(SiC) 기술의 산업 리더이다.

CEO이자 공동 창립자인 진 셰리던은 "우리의 1분기는 GaN 양방향 IC의 세계 최초 생산 출시, 12 kW AI 데이터 센터 전원 공급 장치 플랫폼, GaN 및 SiC 기술에 대한 전례 없는 신뢰성 기준을 포함한 많은 산업 최초를 특징으로 했다"고 말했다.

이어 "이러한 기술 및 신뢰성 성과와 지난해 발표된 4억 5천만 달러의 디자인 수주가 결합되어, 회사는 올해와 2026년 이후 중요한 성장을 위한 위치에 있다"고 덧붙였다.

2025년 1분기 재무 하이라이트에 따르면, 총 수익은 1,400만 달러로, 2024년 1분기의 2,320만 달러 및 2024년 4분기의 1,800만 달러와 비교된다.

운영 손실은 GAAP 기준으로 2,530만 달러로, 2024년 1분기의 3,160만 달러 및 2024년 4분기의 3,900만 달러와 비교된다.

비GAAP 기준으로는 운영 손실이 1,180만 달러로, 2024년 1분기와 동일한 수치이다.2025년 3월 31일 기준으로 현금 및 현금성 자산은 7,510만 달러이다.

시장, 고객 및 기술 하이라이트로는 세계 최초의 650V 양방향 GaN IC 및 IsoFast™ 고속 절연 게이트 드라이버의 생산 출시가 포함된다.

이 기술은 EV 충전, 태양광 마이크로 인버터, 에너지 저장 및 모터 드라이브 등 다양한 응용 분야에서의 전환을 가능하게 한다.

또한, 12 kW 데이터 센터 플랫폼 디자인이 발표되었으며, 이는 AI 프로세서의 새로운 세대를 지원하기 위해 총 랙 전력을 500 kW까지 두 배로 늘릴 수 있도록 한다.

2018년 이후 누적 GaN 출하량은 2억 5천만 개를 초과하며, 100 ppb의 현장 신뢰성 기록을 보여준다.

2025년 2분기 순수익은 1,400만 달러에서 1,500만 달러로 예상되며, 비GAAP 총 이익률은 38.5%로 예상된다.

나비타스세미컨덕터는 2014년에 설립된 순수 전력 반도체 회사로, GaNFast™ 전력 IC는 빠른 충전, 높은 전력 밀도 및 에너지 절약을 가능하게 한다.

현재 나비타스세미컨덕터의 총 자산은 3억 7,083만 달러이며, 총 부채는 2,901만 달러로, 주주 자본은 3억 4,182만 달러이다.



※ 본 컨텐츠는 AI API를 이용하여 요약한 내용으로 수치나 문맥상 요약이 컨텐츠 원문과 다를 수 있습니다. 해당 컨텐츠는 투자 참고용이며 투자를 할때는 컨텐츠 원문을 필히 필독하시기 바랍니다.

미국증권거래소 공시팀