나비타스세미컨덕터(NVTS, Navitas Semiconductor Corp )는 글로벌파운드리와 파트너십을 체결해 미국 GaN 기술을 가속화했다.20일 미국 증권거래위원회에 따르면 2025년 11월 20일, 나비타스세미컨덕터와 글로벌파운드리(GF)는 미국 내 갈륨 나이트라이드(GaN) 기술, 설계 및 제조를 강화하고 가속화하기 위한 장기 전략적 파트너십을 체결했다.이 파트너십을 통해 두 회사는 AI 데이터 센터, 성능 컴퓨팅, 에너지 및 그리드 인프라, 산업 전기화 등 높은 효율성과 전력 밀도를 요구하는 고전력 응용 프로그램을 위한 고급 GaN 솔루션을 개발하고 제공하기 위해 협력할 예정이다.나비타스세미컨덕터는 GaN 및 고전압 실리콘 카바이드(SiC) 기술의 선구자로서 모바일 고속 충전기, 소비자 전자기기, 성능 컴퓨팅, 전기차, 에너지 저장 및 산업 장치와 같은 대량 시장에서 성공적인 GaN 배치를 이뤄냈으며, 고전력 시장에서 GaN 채택을 가속화하기 위해 노력하고 있다.GF는 신뢰할 수 있는 글로벌 파운드리 파트너로서 수십 년의 경험을 보유하고 있으며, 대규모로 신뢰할 수 있고 고품질의 생산을 보장한다.이 장기 파트너십을 통해 GF와 나비타스세미컨덕터는 GF의 버몬트주 벌링턴 시설에서 차세대 GaN 기술을 제조할 예정이며, 이 시설의 고전압 GaN-온-실리콘 기술 전문성과 나비타스세미컨덕터의 오랜 GaN 기술 및 장치 전문성을 활용할 것이다.개발은 2026년 초에 시작될 예정이며, 생산은 그 해 후반에 시작될 것으로 예상된다.GF의 세계적 수준의 제조 능력과 나비타스의 GaN 혁신 리더십을 결합함으로써 이 전략적 파트너십은 고객에게 가장 진보되고 안전하며 확장 가능한 GaN 솔루션을 제공할 것이다.두 회사는 고객이 GaN을 위한 미국 경로를 달성할 수 있도록 지원하며, 국가 안보와 경쟁력을 강화하고 차세대 에너지 및 컴퓨팅 플랫폼의 탈탄소화를 추진할 것이다.글로벌파운드리의 CEO인 팀 브린은 "GaN은 세계가 전력을 이동하는 방식을 변화시키고 있다. 이
