삼성전자는 차세대 인공지능(AI) 가속기의 핵심이 될 'HBM4E 12단' 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다고 29일 밝혔다. 지난 2월 HBM4(6세대) 양산 출하에 성공한 지 3개월 만이다.
이번 제품은 설계와 공정 최적화를 통해 최고 수준의 성능을 구현했다. 핀당 동작 속도는 14기가비트(Gbps)에서 최대 16Gbps까지 지원한다. 이는 전작 HBM4 대비 20% 이상 향상된 수준이다.
또, 단일 스택 기준 초당 3.6테라바이트(TB)의 대역폭을 제공함으로써 대규모 언어 모델(LLM) 과 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 극대화했다.
용량도 확대했다. HBM4E 12단 제품은 48기가바이트(GB)의 고용량을 구현해 전작 대비 용량이 30% 이상 늘었다. 향후 고객사 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 확대 나갈 계획이다.
삼성전자는 기존 HBM4에서 검증된 최선단 공정 기반의 100나노급 6세대(1c) D램과 자체 파운드리 4나노 로직 다이(Die)를 HBM4E에도 적용했다. 이를 통해 초미세 공정의 안정성을 높이는 동시에 수율과 양산성을 확보했다는 평가다.
발열과 전력 소모 문제도 개선했다. 저전력 설계와 패키징 구조 최적화 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 늘었다.
삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급할 예정이다.
삼성전자 메모리사업부 개발담당 황상준 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다"며 "앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것"이라고 강조했다.
신용승 기자 credit_v@beyondpost.co.kr
