나비타스세미컨덕터(NVTS, Navitas Semiconductor Corp )는 PSMC가 200mm GaN 생산 계획을 발표했다.

1일 미국 증권거래위원회에 따르면 나비타스세미컨덕터(나스닥: NVTS)는 2025년 7월 1일, 파워칩 반도체 제조 회사(PSMC)와의 전략적 파트너십을 통해 200mm GaN-on-silicon 기술의 생산을 시작하고 개발을 지속할 것이라고 발표했다.

이번 계획은 공급망을 강화하고 혁신을 촉진하며 비용 효율성을 개선하여 GaN의 AI 데이터 센터, 전기차, 태양광 및 가전제품으로의 확장을 지원할 것으로 기대된다.

나비타스의 GaN 집적 회로(IC) 포트폴리오는 대만 신주에 위치한 Fab 8B에서 파워칩의 200mm를 사용할 예정이다.

이 공장은 2019년부터 운영되고 있으며, 마이크로 LED에서 RF GaN 장치에 이르는 다양한 고부가가치 제조 공정을 지원한다.

파워칩의 능력에는 개선된 180nm CMOS 공정이 포함되어 있으며, 이는 성능, 전력 효율성, 통합 및 비용에서 개선을 가져온다.

나비타스의 WBG 기술 플랫폼 수석 부사장인 Dr. Sid Sundaresan은 "180nm 공정 노드에서의 200mm GaN-on-silicon 생산은 더 높은 전력 밀도, 더 빠르고 효율적인 장치를 지속적으로 혁신할 수 있게 해준다"고 말했다.

파워칩은 나비타스의 GaN 포트폴리오를 100V에서 650V까지 제조할 예정이며, 이는 48V 인프라에 대한 수요 증가를 지원한다.

초기 장치의 자격 인증은 2025년 4분기에 예상되며, 100V 제품군은 2026년 상반기에 파워칩에서 생산을 시작할 예정이다.

나비타스는 최근 AI 데이터 센터, 전기차 및 태양광 시장에서 여러 발표를 했으며, NVIDIA와 협력하여 800V HVDC 아키텍처를 지원하는 GaN 및 SiC 기술을 개발하고 있다.

또한, Enphase는 차세대 IQ9에 나비타스의 650V 양방향 GaNFast IC를 포함할 것이라고 발표했으며, 창안 자동차는 나비타스의 GaNSafe 기술을 사용하는 최초의 상업용 GaN 기반 OBC(온보드 충전기)를 발표했다.

나비타스의 CEO이자 공동 창립자인 Gene Sheridan은 "파워칩과 협력하여 고부가가치 200mm GaN-on-silicon 생산을 발전시키게 되어 자랑스럽다. 앞으로도 지속적인 혁신을 함께 추진할 수 있기를 기대한다"고 말했다.

파워칩의 Martin Chu 사장은 "파워칩은 나비타스와 GaN-on-Si 기술에 대해 수년간 협력해왔으며, 제품 자격 인증이 거의 완료되어 대량 생산에 가까워졌다"고 밝혔다.

파워칩은 나비타스와의 강력한 파트너십을 바탕으로 협력을 확대하고 GaN 시장을 탐색하고 성장시키는 데 지속적으로 지원할 것이라고 강조했다.

나비타스세미컨덕터는 2014년에 설립된 차세대 전력 반도체 회사로, GaNFast™ 전력 IC는 갈륨 나이트라이드(GaN) 전력 및 드라이브, 제어, 감지 및 보호 기능을 통합하여 더 빠른 충전, 높은 전력 밀도 및 더 큰 에너지 절약을 가능하게 한다.

나비타스는 300건 이상의 특허를 보유하고 있으며, 업계 최초로 20년 GaNFast 보증을 제공한다.또한, 나비타스는 세계 최초로 탄소중립 인증을 받은 반도체 회사이다.

이번 발표는 나비타스의 지속적인 혁신과 시장 확장을 위한 중요한 이정표가 될 것으로 보인다.



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미국증권거래소 공시팀